반도체 공정을 알아야 반도체 관련주가 보입니다!!

반도체 공정이란 반도체 소자나 반도체 칩을 제조하는 과정입니다. 반도체는 전기적 특성을 조절할 수 있는 물질로서 컴퓨터, 스마트폰, 자동차 등 다양한 전자기기에 사용됩니다.

반도체 공정은 크게 8가지 단계로 구분할 수 있습니다. 각 단계를 간단하게 소개하겠습니다123.

웨이퍼(Wafer) : 웨이퍼는 반도체 소자를 만들기 위한 기본 재료입니다. 보통 실리콘(Si)이나 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 등의 결정화된 물질을 얇고 둥근 판으로 절단합니다. 웨이퍼의 직경은 300mm 정도이며, 두께는 0.5mm 정도입니다.

산화(Oxidation) : 산화는 웨이퍼 표면에 산화막(옥사이드)을 형성하는 공정입니다. 산화막은 반도체 소자의 전기적 특성을 결정하거나 보호하는 역할을 합니다. 보통 웨이퍼를 높은 온도의 산소가스나 스팀에 노출시켜서 산화막을 생성합니다.

포토(Photo) : 포토는 원하는 모양의 회로 패턴을 웨이퍼에 옮기는 공정입니다. 포토레지스트라고 하는 빛에 반응하는 화학물질을 웨이퍼 표면에 도포한 후, 마스크라고 하는 판넬에 그려진 회로 패턴과 일치하게 정렬합니다. 그리고 자외선(UV) 등의 광원으로 조사하여 포토레지스트를 경화시켜 회로 패턴을 형성합니다.

식각(Etching) : 식각은 포토 공정에서 형성된 회로 패턴대로 원하지 않는 부분을 제거하는 공정입니다. 보통 화학적인 방법(액체식각)과 물리적인 방법(건식각) 중 하나를 사용합니다.

박막(Deposition & Ion Implantation) : 박막은 원하는 재료를 원하는 위치에 얇게 입혀주는 공정입니다. 박막은 주로 CVD(Chemical Vapor Deposition), ALD(Atomic Layer Deposition), PVD(Physical Vapor Deposition), MBE(Molecular Beam Epitaxy) 등의 방법으로 생성됩니다.